FDD6672A

MOSFET N-CH 30V 65A D-PAK
FDD6672A P1
FDD6672A P2
FDD6672A P1
FDD6672A P2
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDD6672A

Artikelnummer
FDD6672A
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 65A D-PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer FDD6672A
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 65A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5070pF @ 15V
Vgs (Max) ±12V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 14A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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