FDC6561AN

MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
FDC6561AN P1
FDC6561AN P2
FDC6561AN P3
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Fairchild/ON Semiconductor ~ FDC6561AN

Artikelnummer
FDC6561AN
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer FDC6561AN
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 2.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 95 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 3.2nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 220pF @ 15V
Leistung max 700mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket SuperSOT™-6

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