EPC2103

GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
EPC2103 P1
EPC2103 P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

EPC ~ EPC2103

Artikelnummer
EPC2103
Hersteller
EPC
Beschreibung
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- EPC2103 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer EPC2103
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Eigenschaft GaNFET (Gallium Nitride)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 80V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 28A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 7mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 40V
Leistung max -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall Die
Lieferantengerätepaket Die

Verwandte Produkte

Alle Produkte