MJD31CQ-13

TRANS NPN 100V 3A DPAK
MJD31CQ-13 P1
MJD31CQ-13 P1
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Diodes Incorporated ~ MJD31CQ-13

Artikelnummer
MJD31CQ-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
TRANS NPN 100V 3A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Artikelnummer MJD31CQ-13
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 3A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 100V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 3A, 4V
Leistung max 15W
Frequenz - Übergang 3MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket TO-252

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