DMN3012LFG-13

MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333
DMN3012LFG-13 P1
DMN3012LFG-13 P1
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Diodes Incorporated ~ DMN3012LFG-13

Artikelnummer
DMN3012LFG-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer DMN3012LFG-13
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 15A, 5V, 6 mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Leistung max 2.2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerLDFN
Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8

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