DDTC115GE-7

TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
DDTC115GE-7 P1
DDTC115GE-7 P2
DDTC115GE-7 P3
DDTC115GE-7 P4
DDTC115GE-7 P1
DDTC115GE-7 P2
DDTC115GE-7 P3
DDTC115GE-7 P4
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Diodes Incorporated ~ DDTC115GE-7

Artikelnummer
DDTC115GE-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- DDTC115GE-7 PDF online browsing
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer DDTC115GE-7
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) -
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 100k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 82 @ 5mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung max 150mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-523
Lieferantengerätepaket SOT-523

Verwandte Produkte

Alle Produkte