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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BAS16HTWQ-13 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Diodenkonfiguration | 3 Independent |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 200mA (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 4ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 500nA @ 80V |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -65°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-363 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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BAS101,215 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 300V 200MA SOT23 | 0 | Einzelheiten | |
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BAS101S,215 | Nexperia USA Inc. | DIODE ARRAY GP 300V 200MA SOT23 | 0 | Einzelheiten | |
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BAS116 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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BAS116 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23 | - | 1546376 | Einzelheiten |
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BAS116,215 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23 | 9000 | Einzelheiten | |
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BAS116,235 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23 | 90000 | Einzelheiten | |
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BAS116-7-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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BAS116E6327HTSA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3 | - | 42000 | Einzelheiten |
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BAS116E6433HTMA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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BAS116GWJ | Nexperia USA Inc. | BAS116GW/SOD123/SOD2 | - | 10000 | Einzelheiten |
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BAS116GWX | Nexperia USA Inc. | BAS116GW/SOD123/SOD2 | - | 3000 | Einzelheiten |
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BAS116H,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 75V 215MA SOD123F | 33000 | Einzelheiten |