S29GL512T12TFVV10

IC 512MB MEMORY
S29GL512T12TFVV10 P1
S29GL512T12TFVV10 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Cypress Semiconductor Corp ~ S29GL512T12TFVV10

Artikelnummer
S29GL512T12TFVV10
Hersteller
Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung
IC 512MB MEMORY
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
S29GL512T12TFVV10.pdf S29GL512T12TFVV10 PDF online browsing
Familie
Speicher
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Artikelnummer S29GL512T12TFVV10
Teilstatus Active
Speichertyp Non-Volatile
Speicherformat FLASH
Technologie FLASH - NOR
Speichergröße 512Mb (64M x 8)
Taktfrequenz -
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 60ns
Zugriffszeit 120ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.65 V ~ 3.6 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 105°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket 56-TSOP

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