CDBJFSC101200-G

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
CDBJFSC101200-G P1
CDBJFSC101200-G P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Comchip Technology ~ CDBJFSC101200-G

Artikelnummer
CDBJFSC101200-G
Hersteller
Comchip Technology
Beschreibung
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer CDBJFSC101200-G
Teilstatus Active
Dioden-Typ Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 10A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 10A
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 100µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F 780pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-220-2 Full Pack
Lieferantengerätepaket TO-220F
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 175°C

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