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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | CDBGBSC20650-G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Dioden-Typ | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 33A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 10A |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 0ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 650V |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 175°C |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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CDBGBSC101200-G | Comchip Technology | DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER | - | 9432 | Einzelheiten |
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