BU806

THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR
BU806 P1
BU806 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Central Semiconductor Corp ~ BU806

Artikelnummer
BU806
Hersteller
Central Semiconductor Corp
Beschreibung
THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer BU806
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 8A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 400V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 50mA, 5A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce -
Leistung max 60W
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Lieferantengerätepaket TO-220-3

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