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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | AOTF11N60L |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1990pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 37.9W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3F |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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AOTF10B60D | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 600V 20A 42W TO220F | 0 | Einzelheiten | |
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AOTF10B60D2 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 600V 10A TO-220F | - | 99561 | Einzelheiten |
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AOTF10B65M1 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 650V 10A TO220 | 990 | Einzelheiten | |
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AOTF10B65M2 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 650V 10A TO220 | 590 | Einzelheiten | |
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AOTF10N50FD | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 500V 10A TO220F | 0 | Einzelheiten | |
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AOTF10N50FD_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 500V 10A TO220F | 0 | Einzelheiten | |
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AOTF10N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO220F | 0 | Einzelheiten | |
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AOTF10N60L_002 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO220F | 0 | Einzelheiten | |
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AOTF10N60_003 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO220F | 0 | Einzelheiten | |
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AOTF10N60_006 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO220F | 0 | Einzelheiten | |
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AOTF10N65 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 650V 10A TO220F | 0 | Einzelheiten | |
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AOTF10N90 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 900V 10A TO220F | - | 0 | Einzelheiten |