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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | AOK8N80L |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 800V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 7.4A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1650pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 245W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.63 Ohm @ 4A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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AOK10B60D | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 600V 20A 163W TO247 | 0 | Einzelheiten | |
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AOK10N90 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 900V 10A TO247 | - | 0 | Einzelheiten |
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AOK15B60D | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 600V 30A 167W TO247 | 0 | Einzelheiten | |
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AOK18N65L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 650V 18A TO247 | 0 | Einzelheiten | |
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AOK20B120D1 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 1200V 20A TO-247 | - | 21396 | Einzelheiten |
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AOK20B120E1 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 1200V 20A TO247 | 91 | Einzelheiten | |
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AOK20B120E2 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 1200V 20A TO-247 | - | 25863 | Einzelheiten |
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AOK20B135D1 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 1350V 20A 340W TO-247 | 143 | Einzelheiten | |
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AOK20B135E1 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 1350V 20A 340W TO247 | 66 | Einzelheiten | |
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AOK20B60D1 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 600V 40A 180W TO247 | 0 | Einzelheiten | |
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AOK20B65M1 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 650V 20A TO-247 | - | 28096 | Einzelheiten |
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AOK20B65M2 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 650V 20A TO247 | 225 | Einzelheiten |