AOI1N60

MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
AOI1N60 P1
AOI1N60 P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AOI1N60

Artikelnummer
AOI1N60
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
AOI1N60.pdf AOI1N60 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer AOI1N60
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 1.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 160pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 45W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 9 Ohm @ 650mA, 10V
Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-251A
Paket / Fall TO-251-3 Stub Leads, IPak

Verwandte Produkte

Alle Produkte