AOD3N80

MOSFET N-CH 800V 2.8A TO252
AOD3N80 P1
AOD3N80 P2
AOD3N80 P3
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AOD3N80 P3
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AOD3N80

Artikelnummer
AOD3N80
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO252
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer AOD3N80
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 800V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 2.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 510pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 83W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 4.8 Ohm @ 1.5A, 10V
Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak)
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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