AS6C2016-55BINTR

IC SRAM 2MBIT 55NS 48TFBGA
AS6C2016-55BINTR P1
AS6C2016-55BINTR P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Alliance Memory, Inc. ~ AS6C2016-55BINTR

Artikelnummer
AS6C2016-55BINTR
Hersteller
Alliance Memory, Inc.
Beschreibung
IC SRAM 2MBIT 55NS 48TFBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Speicher
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Produktparameter

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Artikelnummer AS6C2016-55BINTR
Teilstatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat SRAM
Technologie SRAM - Asynchronous
Speichergröße 2Mb (128K x 16)
Taktfrequenz -
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 55ns
Zugriffszeit 55ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 2.7 V ~ 5.5 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 48-TFBGA
Lieferantengerätepaket 48-TFBGA (6x8)

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