AS4C8M32MSA-6BINTR

IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA
AS4C8M32MSA-6BINTR P1
AS4C8M32MSA-6BINTR P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Alliance Memory, Inc. ~ AS4C8M32MSA-6BINTR

Artikelnummer
AS4C8M32MSA-6BINTR
Hersteller
Alliance Memory, Inc.
Beschreibung
IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- AS4C8M32MSA-6BINTR PDF online browsing
Familie
Speicher
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer AS4C8M32MSA-6BINTR
Teilstatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile
Speichergröße 256Mb (8M x 32)
Taktfrequenz 166MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 15ns
Zugriffszeit 5.5ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 90-VFBGA
Lieferantengerätepaket 90-FBGA (8x13)

Verwandte Produkte

Alle Produkte