AS4C4M32MSA-6BIN

IC DRAM 128M PARALLEL 90FBGA
AS4C4M32MSA-6BIN P1
AS4C4M32MSA-6BIN P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Alliance Memory, Inc. ~ AS4C4M32MSA-6BIN

Artikelnummer
AS4C4M32MSA-6BIN
Hersteller
Alliance Memory, Inc.
Beschreibung
IC DRAM 128M PARALLEL 90FBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- AS4C4M32MSA-6BIN PDF online browsing
Familie
Speicher
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer AS4C4M32MSA-6BIN
Teilstatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile
Speichergröße 128Mb (4M x 32)
Taktfrequenz 166MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit 5.5ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 90-VFBGA
Lieferantengerätepaket 90-FBGA (8x13)

Verwandte Produkte

Alle Produkte