AS4C32M8SA-6TIN

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
AS4C32M8SA-6TIN P1
AS4C32M8SA-6TIN P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Alliance Memory, Inc. ~ AS4C32M8SA-6TIN

Artikelnummer
AS4C32M8SA-6TIN
Hersteller
Alliance Memory, Inc.
Beschreibung
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Speicher
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Produktparameter

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Artikelnummer AS4C32M8SA-6TIN
Teilstatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM
Speichergröße 256Mb (32M x 8)
Taktfrequenz 166MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit 5.5ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket 54-TSOP II

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