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Alliance Memory, Inc. ~ AS4C32M16MD1A-5BCN

Artikelnummer	AS4C32M16MD1A-5BCN
Teilstatus	Active
Speichertyp	Volatile
Speicherformat	DRAM
Technologie	SDRAM - Mobile DDR
Speichergröße	512Mb (32M x 16)
Taktfrequenz	200MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite	15ns
Zugriffszeit	700ps
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	1.7 V ~ 1.9 V
Betriebstemperatur	-30°C ~ 85°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	60-VFBGA
Lieferantengerätepaket	60-FBGA (9x8)

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
AS4C32M16D1-5BCN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA	-	16	Einzelheiten
AS4C32M16D1-5BCNTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA	-	0	Einzelheiten
AS4C32M16D1-5BIN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA	-	169	Einzelheiten
AS4C32M16D1-5BINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA	-	0	Einzelheiten
AS4C32M16D1-5TCN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP	-	0	Einzelheiten
AS4C32M16D1-5TCNTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP	-	0	Einzelheiten
AS4C32M16D1-5TIN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP	-	16	Einzelheiten
AS4C32M16D1-5TINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP	-	0	Einzelheiten
AS4C32M16D1A-5TAN	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II	-	18071	Einzelheiten
AS4C32M16D1A-5TANTR	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II	-	19403	Einzelheiten
AS4C32M16D1A-5TCN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP	-	236	Einzelheiten
AS4C32M16D1A-5TCNTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP	-	0	Einzelheiten