AS4C16M16MSA-6BINTR

IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA
AS4C16M16MSA-6BINTR P1
AS4C16M16MSA-6BINTR P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Alliance Memory, Inc. ~ AS4C16M16MSA-6BINTR

Artikelnummer
AS4C16M16MSA-6BINTR
Hersteller
Alliance Memory, Inc.
Beschreibung
IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Speicher
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Produktparameter

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Artikelnummer AS4C16M16MSA-6BINTR
Teilstatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile SDRAM
Speichergröße 256Mb (16M x 16)
Taktfrequenz 166MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit 5.5ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 54-VFBGA
Lieferantengerätepaket 54-FBGA (8x8)

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