IXFH10N100Q

MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247AD
IXFH10N100Q P1
IXFH10N100Q P2
IXFH10N100Q P1
IXFH10N100Q P2
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

IXYS ~ IXFH10N100Q

Một phần số
IXFH10N100Q
nhà chế tạo
IXYS
Sự miêu tả
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247AD
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- IXFH10N100Q PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số IXFH10N100Q
Trạng thái phần Active
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 1000V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 155nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 4000pF @ 25V
Vgs (Tối đa) ±20V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 300W (Tc)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 5A, 10V
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Through Hole
Gói Thiết bị Nhà cung cấp TO-247AD (IXFH)
Gói / Trường hợp TO-247-3

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm