Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | GSID200A120S5C1 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại IGBT | - |
| Cấu hình | Three Phase Inverter |
| Điện áp - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 335A |
| Sức mạnh tối đa | - |
| VCE (bật) (tối đa) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 200A |
| Hiện tại - Bộ sưu tập Cutoff (Tối đa) | 1mA |
| Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce | 22.4nF @ 25V |
| Đầu vào | Standard |
| Thermistor NTC | Yes |
| Nhiệt độ hoạt động | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Chassis Mount |
| Gói / Trường hợp | Module |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | Module |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GSID200A120S3B1 | Global Power Technologies Group | SILICON IGBT MODULES | 0 | Chi tiết | |
 |
GSID200A120S5C1 | Global Power Technologies Group | IGBT MODULE 1200V 335A | 9 | Chi tiết | |
|
GSID200A170S3B1 | Global Power Technologies Group | SILICON IGBT MODULES | 0 | Chi tiết |