Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Winbond Electronics ~ W987D2HBJX7E TR

номер части: W987D2HBJX7E TR
производитель: Winbond Electronics
Описание: IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 90BGA
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: W987D2HBJX7E TR.pdf W987D2HBJX7E TR PDF online browsing
семья: Память

номер части	W987D2HBJX7E TR
Статус детали	Active
Тип памяти	Volatile
Формат памяти	DRAM
Технологии	SDRAM - Mobile LPSDR
Размер памяти	128Mb (4M x 32)
Частота часов	133MHz
Время цикла записи - слово, страница	15ns
Время доступа	5.4ns
Интерфейс памяти	Parallel
Напряжение - Поставка	1.7 V ~ 1.95 V
Рабочая Температура	-25°C ~ 85°C (TC)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	90-TFBGA
Пакет устройств поставщика	90-VFBGA (8x13)

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
W987D2HBJX6E	Winbond Electronics	IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90BGA	подробности
W987D2HBJX6E TR	Winbond Electronics	IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90BGA	подробности
W987D2HBJX6I	Winbond Electronics	IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90BGA	подробности
W987D2HBJX6I TR	Winbond Electronics	IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90BGA	подробности
W987D2HBJX7E	Winbond Electronics	IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 90BGA	подробности
W987D2HBJX7E TR	Winbond Electronics	IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 90BGA	подробности
W987D6HBGX6E	Winbond Electronics	IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 54BGA	подробности
W987D6HBGX6E TR	Winbond Electronics	IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 54BGA	подробности
W987D6HBGX6I	Winbond Electronics	IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 54BGA	подробности
W987D6HBGX6I TR	Winbond Electronics	IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 54BGA	подробности
W987D6HBGX7E	Winbond Electronics	IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54BGA	подробности
W987D6HBGX7E TR	Winbond Electronics	IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54BGA	подробности