SQJ262EP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
SQJ262EP-T1_GE3 P1
SQJ262EP-T1_GE3 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Vishay Siliconix ~ SQJ262EP-T1_GE3

номер части
SQJ262EP-T1_GE3
производитель
Vishay Siliconix
Описание
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- SQJ262EP-T1_GE3 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части SQJ262EP-T1_GE3
Статус детали Active
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Функция FET Standard
Слив к источнику напряжения (Vdss) 60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 15A (Tc), 40A (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 35.5 mOhm @ 2A, 10V, 15.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Мощность - макс. 27W (Tc), 48W (Tc)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол PowerPAK® SO-8 Dual
Пакет устройств поставщика PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

сопутствующие товары

Все продукты