SIHD7N60ET5-GE3

MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
SIHD7N60ET5-GE3 P1
SIHD7N60ET5-GE3 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Vishay Siliconix ~ SIHD7N60ET5-GE3

номер части
SIHD7N60ET5-GE3
производитель
Vishay Siliconix
Описание
MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- SIHD7N60ET5-GE3 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части SIHD7N60ET5-GE3
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 40nC @ 10V
Vgs (Макс.) ±30V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 680pF @ 100V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 78W (Tc)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика TO-252AA
Упаковка / чехол TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

сопутствующие товары

Все продукты