TPWR8503NL,L1Q

MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
TPWR8503NL,L1Q P1
TPWR8503NL,L1Q P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ TPWR8503NL,L1Q

номер части
TPWR8503NL,L1Q
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание
MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- TPWR8503NL,L1Q PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части TPWR8503NL,L1Q
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 150A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 74nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 6900pF @ 15V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 800mW (Ta), 142W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 0.85 mOhm @ 50A, 10V
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика 8-DSOP Advance
Упаковка / чехол 8-PowerWDFN

сопутствующие товары

Все продукты