| номер части | TPN7R506NH,L1Q |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 60V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 26A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 6.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1800pF @ 30V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 700mW (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 13A, 10V |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Упаковка / чехол | 8-PowerVDFN |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPN7R506NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON | - | 5000 | подробности |
