| номер части | TPN3300ANH,LQ |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 100V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 9.4A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 880pF @ 50V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 700mW (Ta), 27W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 4.7A, 10V |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Упаковка / чехол | 8-PowerVDFN |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPN3300ANH,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON | - | 3000 | подробности |
