TPN2R805PL,L1Q

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TPN2R805PL,L1Q P1
TPN2R805PL,L1Q P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ TPN2R805PL,L1Q

номер части
TPN2R805PL,L1Q
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- TPN2R805PL,L1Q PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части TPN2R805PL,L1Q
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 45V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 139A (Ta), 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 2.8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 300µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 39nC @ 10V
Vgs (Макс.) ±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 3.2nF @ 22.5V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2.67W (Ta), 104W (Tc)
Рабочая Температура 175°C
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Упаковка / чехол 8-PowerVDFN

сопутствующие товары

Все продукты