TPH8R80ANH,L1Q

MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
TPH8R80ANH,L1Q P1
TPH8R80ANH,L1Q P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ TPH8R80ANH,L1Q

номер части
TPH8R80ANH,L1Q
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание
MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- TPH8R80ANH,L1Q PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части TPH8R80ANH,L1Q
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 32A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 500µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 33nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 2800pF @ 50V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 8.8 mOhm @ 16A, 10V
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика 8-SOP Advance (5x5)
Упаковка / чехол 8-PowerVDFN

сопутствующие товары

Все продукты