Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ TPCF8A01(TE85L)

номер части	TPCF8A01(TE85L)
Статус детали	Obsolete
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2V, 4.5V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	49 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	7.5nC @ 5V
Vgs (Макс.)	±12V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	590pF @ 10V
Функция FET	Schottky Diode (Isolated)
Рассеиваемая мощность (макс.)	330mW (Ta)
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	VS-8 (2.9x1.5)
Упаковка / чехол	8-SMD, Flat Lead

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
TPCF8101(TE85L,F,M	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 12V 6A VS-8		0	подробности
TPCF8102(TE85L,F,M	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A		0	подробности
TPCF8104(TE85L,F,M	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 30V 6A VS-8		0	подробности
TPCF8107,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 30V 6A VS-8	-	435	подробности
TPCF8201(TE85L,F,M	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 20V 3A VS-8		0	подробности
TPCF8304(TE85L,F,M	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2P-CH 30V 3.2A VS-8		0	подробности
TPCF8402(TE85L,F,M	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.2A VS-8		0	подробности
TPCF8A01(TE85L)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 20V 3A VS-8	-	19041	подробности
TPCF8B01(TE85L,F,M	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8		0	подробности