TPC8036-H(TE12L,QM

MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
TPC8036-H(TE12L,QM P1
TPC8036-H(TE12L,QM P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ TPC8036-H(TE12L,QM

номер части
TPC8036-H(TE12L,QM
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание
MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- TPC8036-H(TE12L,QM PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части TPC8036-H(TE12L,QM
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 18A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 49nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 4600pF @ 10V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1W (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 9A, 10V
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика 8-SOP (5.5x6.0)
Упаковка / чехол 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

сопутствующие товары

Все продукты