TK8R2A06PL,S4X

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TK8R2A06PL,S4X P1
TK8R2A06PL,S4X P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK8R2A06PL,S4X

номер части
TK8R2A06PL,S4X
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- TK8R2A06PL,S4X PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части TK8R2A06PL,S4X
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 50A
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 300µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 28.4nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1990pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 36W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 11.4 mOhm @ 8A, 4.5V
Рабочая Температура 175°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика TO-220SIS
Упаковка / чехол TO-220-3 Full Pack

сопутствующие товары

Все продукты