TK6A65D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS
TK6A65D(STA4,Q,M) P1
TK6A65D(STA4,Q,M) P2
TK6A65D(STA4,Q,M) P3
TK6A65D(STA4,Q,M) P4
TK6A65D(STA4,Q,M) P1
TK6A65D(STA4,Q,M) P2
TK6A65D(STA4,Q,M) P3
TK6A65D(STA4,Q,M) P4
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK6A65D(STA4,Q,M)

номер части
TK6A65D(STA4,Q,M)
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание
MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- TK6A65D(STA4,Q,M) PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части TK6A65D(STA4,Q,M)
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 650V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 6A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 20nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1050pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±30V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 45W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 1.11 Ohm @ 3A, 10V
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика TO-220SIS
Упаковка / чехол TO-220-3 Full Pack

сопутствующие товары

Все продукты