| номер части | TK3P50D,RQ(S |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 500V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 3A (Ta) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.4V @ 1mA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 280pF @ 25V |
| Vgs (Макс.) | ±30V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 60W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | DPAK |
| Упаковка / чехол | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK3P50D,RQ(S | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 500V 3A DPAK-3 | - | 0 | подробности |
