TK39N60W,S1VF

MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
TK39N60W,S1VF P1
TK39N60W,S1VF P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK39N60W,S1VF

номер части
TK39N60W,S1VF
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание
MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- TK39N60W,S1VF PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части TK39N60W,S1VF
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 38.8A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 1.9mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 110nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 4100pF @ 300V
Vgs (Макс.) ±30V
Функция FET Super Junction
Рассеиваемая мощность (макс.) 270W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 19.4A, 10V
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика TO-247
Упаковка / чехол TO-247-3

сопутствующие товары

Все продукты