| номер части | TK35N65W5,S1F |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 650V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 35A (Ta) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 2.1mA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 115nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 4100pF @ 300V |
| Vgs (Макс.) | ±30V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 270W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 95 mOhm @ 17.5A, 10V |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет устройств поставщика | TO-247 |
| Упаковка / чехол | TO-247-3 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK35N65W,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 35A TO-247 | - | 90 | подробности |
 |
TK35N65W5,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 35A TO-247 | - | 5 | подробности |
