| номер части | TK30E06N1,S1X |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 60V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 43A (Ta) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1050pF @ 30V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 53W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 15A, 10V |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет устройств поставщика | TO-220 |
| Упаковка / чехол | TO-220-3 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK30E06N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 43A TO-220 | - | 31 | подробности |
