TK14G65W5,RQ

MOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK
TK14G65W5,RQ P1
TK14G65W5,RQ P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK14G65W5,RQ

номер части
TK14G65W5,RQ
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание
MOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- TK14G65W5,RQ PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части TK14G65W5,RQ
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 650V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 13.7A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 690µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 40nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1300pF @ 300V
Vgs (Макс.) ±30V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 130W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 6.9A, 10V
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика D2PAK
Упаковка / чехол TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

сопутствующие товары

Все продукты