| номер части | TC58NVG2S0HBAI6 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип памяти | Non-Volatile |
| Формат памяти | EEPROM |
| Технологии | EEPROM - NAND |
| Размер памяти | 4Gb (512M x 8) |
| Частота часов | - |
| Время цикла записи - слово, страница | 25ns |
| Время доступа | 25ns |
| Интерфейс памяти | Parallel |
| Напряжение - Поставка | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | 67-VFBGA |
| Пакет устройств поставщика | 67-VFBGA (6.5x8) |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TC58NVG0S3HBAI4 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 1GBIT 25NS 63TFBGA | - | 181 | подробности |
 |
TC58NVG0S3HBAI6 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 1GBIT 25NS 67FBGA | - | 16 | подробности |
 |
TC58NVG0S3HTA00 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 1GBIT 25NS 48TSOP | - | 327 | подробности |
 |
TC58NVG0S3HTAI0 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 1GBIT 25NS 48TSOP | - | 0 | подробности |
 |
TC58NVG1S3ETA00 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP | 0 | подробности | |
 |
TC58NVG1S3ETAI0 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP | 0 | подробности | |
 |
TC58NVG1S3HBAI4 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 2GBIT 25NS 63FBGA | - | 31 | подробности |
 |
TC58NVG1S3HBAI6 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 2GBIT 25NS 67VFBGA | - | 225 | подробности |
 |
TC58NVG1S3HTA00 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP | - | 0 | подробности |
 |
TC58NVG1S3HTAI0 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP | - | 31 | подробности |
 |
TC58NVG2S0FTA00 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC FLASH 4GBIT 25NS 48TSOP | 163 | подробности | |
 |
TC58NVG2S0HBAI4 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 4GBIT 25NS 63TFBGA | - | 0 | подробности |
