SSM3J15FV,L3F

MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM
SSM3J15FV,L3F P1
SSM3J15FV,L3F P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ SSM3J15FV,L3F

номер части
SSM3J15FV,L3F
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание
MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- SSM3J15FV,L3F PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части SSM3J15FV,L3F
Статус детали Active
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 100mA (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 2.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.7V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs -
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 9.1pF @ 3V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 150mW (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 12 Ohm @ 10mA, 4V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика VESM
Упаковка / чехол SOT-723

сопутствующие товары

Все продукты