RN2306,LF

TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
RN2306,LF P1
RN2306,LF P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ RN2306,LF

номер части
RN2306,LF
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание
TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- RN2306,LF PDF online browsing
семья
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части RN2306,LF
Статус детали Active
Тип транзистора PNP - Pre-Biased
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 50V
Резистор - основание (R1) (Ом) 4.7k
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом) 47k
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) 500nA
Частота - переход 200MHz
Мощность - макс. 100mW
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол SC-70, SOT-323
Пакет устройств поставщика USM

сопутствующие товары

Все продукты