| номер части | RN1117MFV,L3F |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип транзистора | NPN - Pre-Biased |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 100mA |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) | 50V |
| Резистор - основание (R1) (Ом) | 10k |
| Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом) | 4.7k |
| Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Ток - отсечка коллектора (макс.) | 500nA |
| Частота - переход | 250MHz |
| Мощность - макс. | 150mW |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | SOT-723 |
| Пакет устройств поставщика | VESM |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN1110(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | 0 | подробности | |
 |
RN1110,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | - | 0 | подробности |
 |
RN1110ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 | - | 0 | подробности |
 |
RN1110CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | - | 0 | подробности |
 |
RN1110MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM | 0 | подробности | |
 |
RN1111,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | - | 0 | подробности |
 |
RN1111ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 | - | 0 | подробности |
 |
RN1111CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | 0 | подробности | |
 |
RN1111MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | X34 PB-F VESM PLN LF TRANSISTO | - | 2272607 | подробности |
 |
RN1112(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | - | 0 | подробности |
 |
RN1112ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 | 0 | подробности | |
 |
RN1112CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | 0 | подробности |
