RN1113(T5L,F,T)

TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
RN1113(T5L,F,T) P1
RN1113(T5L,F,T) P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ RN1113(T5L,F,T)

номер части
RN1113(T5L,F,T)
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание
TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- RN1113(T5L,F,T) PDF online browsing
семья
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части RN1113(T5L,F,T)
Статус детали Active
Тип транзистора NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 50V
Резистор - основание (R1) (Ом) 47k
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом) -
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) 100nA (ICBO)
Частота - переход 250MHz
Мощность - макс. 100mW
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол SC-75, SOT-416
Пакет устройств поставщика SSM

сопутствующие товары

Все продукты