Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ GT8G133(TE12L,Q)

номер части: GT8G133(TE12L,Q)
производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Описание: IGBT 400V 600MW 8TSSOP
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: GT8G133(TE12L,Q).pdf GT8G133(TE12L,Q) PDF online browsing
семья: Транзисторы - IGBT - Single

номер части	GT8G133(TE12L,Q)
Статус детали	Obsolete
Тип IGBT	-
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	400V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	-
Текущий - коллектор импульсный (Icm)	150A
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.9V @ 4V, 150A
Мощность - макс.	600mW
Энергия переключения	-
Тип ввода	Standard
Ворота затвора	-
Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C	1.7µs/2µs
Условия тестирования	-
Время обратного восстановления (trr)	-
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Пакет устройств поставщика	8-TSSOP

Образ	номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
	GT8G133(TE12L,Q)	Toshiba Semiconductor and Storage	IGBT 400V 600MW 8TSSOP		0	подробности