2SK3564(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS
2SK3564(STA4,Q,M) P1
2SK3564(STA4,Q,M) P2
2SK3564(STA4,Q,M) P3
2SK3564(STA4,Q,M) P4
2SK3564(STA4,Q,M) P1
2SK3564(STA4,Q,M) P2
2SK3564(STA4,Q,M) P3
2SK3564(STA4,Q,M) P4
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ 2SK3564(STA4,Q,M)

номер части
2SK3564(STA4,Q,M)
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание
MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
2SK3564(STA4,Q,M).pdf 2SK3564(STA4,Q,M) PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части 2SK3564(STA4,Q,M)
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 900V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 3A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 17nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 700pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±30V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 40W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 4.3 Ohm @ 1.5A, 10V
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика TO-220SIS
Упаковка / чехол TO-220-3 Full Pack

сопутствующие товары

Все продукты