2SK3313(Q)

MOSFET N-CH 500V 12A TO220NIS
2SK3313(Q) P1
2SK3313(Q) P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ 2SK3313(Q)

номер части
2SK3313(Q)
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание
MOSFET N-CH 500V 12A TO220NIS
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
2SK3313(Q).pdf 2SK3313(Q) PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части 2SK3313(Q)
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 500V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 12A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 45nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 2040pF @ 10V
Vgs (Макс.) ±30V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 40W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 620 mOhm @ 6A, 10V
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика TO-220NIS
Упаковка / чехол TO-220-3 Full Pack

сопутствующие товары

Все продукты