2SJ380(F)

MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS
2SJ380(F) P1
2SJ380(F) P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ 2SJ380(F)

номер части
2SJ380(F)
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание
MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
2SJ380(F).pdf 2SJ380(F) PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части 2SJ380(F)
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 12A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 48nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1100pF @ 10V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 35W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 210 mOhm @ 6A, 10V
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика TO-220NIS
Упаковка / чехол TO-220-3 Full Pack

сопутствующие товары

Все продукты