TH58NYG2S3HBAI4

4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V
TH58NYG2S3HBAI4 P1
TH58NYG2S3HBAI4 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Memory America, Inc. ~ TH58NYG2S3HBAI4

номер части
TH58NYG2S3HBAI4
производитель
Toshiba Memory America, Inc.
Описание
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- TH58NYG2S3HBAI4 PDF online browsing
семья
Память
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части TH58NYG2S3HBAI4
Статус детали Active
Тип памяти Non-Volatile
Формат памяти FLASH
Технологии FLASH - NAND (SLC)
Размер памяти 4Gb (512M x 8)
Частота часов -
Время цикла записи - слово, страница 25ns
Время доступа -
Интерфейс памяти Parallel
Напряжение - Поставка 1.7V ~ 1.95V
Рабочая Температура -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол 63-BGA
Пакет устройств поставщика 63-BGA (9x11)

сопутствующие товары

Все продукты